“快充”無(wú)非就是快速充電器，它從某種意義上主要是用于補(bǔ)充充電技術(shù)進(jìn)步略慢的短板——那么既然無(wú)法在已有的體積下利用大幅增加電池容量的方式來(lái)改善續(xù)航水平，那就可以通過(guò)加速手機(jī)的充電速度來(lái)加強(qiáng)手機(jī)續(xù)航能力，比如當(dāng)初OPPO喊出來(lái)的創(chuàng)意廣告詞“充電五分鐘，通話(huà)兩小時(shí)”就能很好地表明快速充電帶來(lái)的快樂(lè)。#65W氮化鎵快充充電器#

現(xiàn)階段，快速充電通常都會(huì)與“氮化鎵”同時(shí)存在，什么原因氮化鎵可以擔(dān)此重任呢？

舉例說(shuō)明，一般情況下常見(jiàn)的數(shù)碼產(chǎn)品，比如智能手機(jī)、平板電腦等所需的是一定額度以下的直流電，但是目前國(guó)家統(tǒng)一的額定電壓為220V，因而我們一定要把電廠輸送到家庭的220V交流電轉(zhuǎn)換成合適的直流電，這個(gè)時(shí)候就需要變壓器或充電器進(jìn)行轉(zhuǎn)換，沒(méi)有數(shù)碼產(chǎn)品可以例外。顯然，電力轉(zhuǎn)換技術(shù)在我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉薄６陔娏D(zhuǎn)換系統(tǒng)中，最為關(guān)鍵的一部分就是功率半導(dǎo)體元件，它性能的好壞將決定這個(gè)電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的優(yōu)劣。

為了能制作出好的功率半導(dǎo)體元件，就必須要采用合適的半導(dǎo)體材料?，F(xiàn)階段較為常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料為Si，但是經(jīng)過(guò)數(shù)十年的開(kāi)發(fā)應(yīng)用，Si的潛力基本已經(jīng)發(fā)揮到極致，無(wú)法在性能上更進(jìn)一步，這便是氮化鎵（GaN）逐漸興起的原因之一。

氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)

好好看看氮化鎵的最基本特點(diǎn)，氮化鎵GaN與硅相比，擁有禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)大、飽和電子漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。之所以能夠得到快速充電產(chǎn)業(yè)的青睞，主要原因有以下兩點(diǎn)：

一、熱性能卓越。因?yàn)楣杵骷男阅芟拗?，在中高功率?yīng)用時(shí)，往往需要輔助被動(dòng)散熱（To封裝或散熱片），這也是造成開(kāi)關(guān)電源體積增加的主要原因之一。氮化鎵器件在性能上遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋離日益陳舊的功率MOSFET器件，擁有更低導(dǎo)通電阻、更低電容、更大電流及卓越的熱性能。這種優(yōu)良特點(diǎn)，讓氮化鎵功率器件基本上可以完完全全擺脫傳統(tǒng)式的輔助被動(dòng)散熱方式，而依靠PCB覆銅、過(guò)孔搪錫等小范圍的方式實(shí)現(xiàn)散熱。拋棄了笨重的輔助被動(dòng)散熱設(shè)施，體積將可做得更為小巧。

二、GaN高頻率特點(diǎn)帶來(lái)高效。一般而言，要提升開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度（即同等體積下，輸出功率越高），最先關(guān)注的是進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)頻率，可以有效的減小變壓器、濾波電感、電容的體積，而GaN的材料性能剛好可以滿(mǎn)足這一要求。

綜合性而言，氮化鎵GaN元器件擁有通態(tài)電阻小、開(kāi)關(guān)速度快、耐高溫、耐壓高性能好等特點(diǎn)，擁有硅元器件所不具備的優(yōu)點(diǎn)，的確特別適合采用在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。